Изображение служит лишь для справки
TH50VSF3580AASB
- Toshiba America Electronic Components
- Специализированные
- -
- IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA69, 12 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Memory IC:Other
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:69
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Код упаковки компонента:BGA
- Описание пакета:LFBGA, BGA69,10X12,32
- Время доступа-максимум:90 ns
- Количество слов:2097152 words
- Количество кодовых слов:2000000
- Температура работы-Макс:85 °C
- Минимальная температура работы:-30 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:LFBGA
- Код эквивалентности пакета:BGA69,10X12,32
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн):3 V
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 FLASH AND CONTAINS SRAM CONFIGURED AS 512K X 16 OR 1M X 8
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.71
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:69
- Код JESD-30:R-PBGA-B69
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.3 V
- Градация температуры:OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.67 V
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.05 mA
- Организация:2MX16
- Максимальная высота посадки:1.4 mm
- Ширина памяти:16
- Плотность памяти:33554432 bit
- Тип микросхемы памяти:MEMORY CIRCUIT
- Смешанный тип памяти:FLASH+SRAM
- Длина:12 mm
- Ширина:9 mm
Со склада 0
Итого $0.00000