Изображение служит лишь для справки
2SJ549S
- Renesas Electronics Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- 12A, 60V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:LDPAK-3
- Date Of Intro:1998-06-01
- Максимальный ток утечки (ID):12 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.23 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:48 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):50 W
Со склада 0
Итого $0.00000