Изображение служит лишь для справки
IM65X08AIJE
- General Electric Solid State
- Память
- -
- Description: Standard SRAM, 1KX1, 200ns, CMOS, CDIP16
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:16
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:GENERAL ELECTRIC SOLID STATE
- Описание пакета:DIP, DIP16,.3
- Время доступа-максимум:200 ns
- Количество слов:1024 words
- Количество кодовых слов:1000
- Температура работы-Макс:85 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC
- Код пакета:DIP
- Код эквивалентности пакета:DIP16,.3
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Шаг выводов:2.54 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-XDIP-T16
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.01 mA
- Организация:1KX1
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:1
- Ток ожидания-макс:0.00005 A
- Плотность памяти:1024 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:2 V
Со склада 0
Итого $0.00000