Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 15N10 TO251-VB
Изображение служит лишь для справки
15N10 TO251-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 15A 2.7W 110mΩ@10V,15A 3V@250uA 1 N-Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 40
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Power Dissipation (Pd)：2.7W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,15A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Package：Tube-packed
- Type：1 N-Channel
Со склада 40
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты