Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTP2955G-VB
Изображение служит лишь для справки
NTP2955G-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 20A 100mΩ@10V,5A 60W 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 46
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,5A
- Power Dissipation (Pd)：60W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：90pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：850pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：13nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+175℃@(Tj)
- Тип：1 Piece P-Channel
Со склада 46
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты