(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFM224A
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 0.92A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, SOT-223, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Код упаковки компонента：TO-261AA
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Максимальный ток утечки (ID)：0.92 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-261AA
- Сопротивление открытого канала-макс：1.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：7 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：85 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
