IS42S16100E-6T

Name: Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6T
Brand: Integrated Silicon Solution Inc
Rating: 5 (14 reviews)

Integrated Silicon Solution Inc
Память
-
Description: Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：50
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Код упаковки компонента：TSOP2
Описание пакета：TSOP2, TSOP50,.46,32
Время доступа-максимум：5.5 ns
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：166 MHz
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество слов：1048576 words
Количество кодовых слов：1000000
Температура работы-Макс：70 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код пакета：TSOP2
Код эквивалентности пакета：TSOP50,.46,32
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：50
Код JESD-30：R-PDSO-G50
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.16 mA
Организация：1MX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.002 A
Плотность памяти：16777216 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
Обновляющие циклы：2048
Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Режим доступа：DUAL BANK PAGE BURST
Автоперезапись：YES
Длина：20.95 mm
Ширина：10.16 mm

Со склада 0

Итого $0.00000