Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
TC55V16256J-12
-
Toshiba America Electronic Components
-
Память
- -
- Description: IC 256K X 16 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO44, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:44
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Код упаковки компонента:SOJ
- Описание пакета:SOJ, SOJ44,.44
- Время доступа-максимум:12 ns
- Количество слов:262144 words
- Количество кодовых слов:256000
- Температура работы-Макс:70 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:SOJ
- Код эквивалентности пакета:SOJ44,.44
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Номинальное напряжение питания (Вн):3.3 V
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:J BEND
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:44
- Код JESD-30:R-PDSO-J44
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):3 V
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.2 mA
- Организация:256KX16
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:3.7 mm
- Ширина памяти:16
- Ток ожидания-макс:0.004 A
- Плотность памяти:4194304 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:CACHE SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:3 V
- Длина:28.58 mm
- Ширина:10.16 mm
Со склада 0
Итого $0.00000