Изображение служит лишь для справки

SIHLL014TR-GE3

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY SILICONIX
  • Код упаковки компонента:SOT
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Максимальный ток утечки (ID):2.7 A
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:R-PDSO-G4
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-261AA
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.2 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:22 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):100 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):3.1 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):42 pF

Со склада 0

Итого $0.00000