Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PJ3L85_R1_00001
-
PanJit Semiconductor
-
Диоды - Зенеры - Одинарные
- -
- Trans Voltage Suppressor Diode
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:6
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:PAN JIT INTERNATIONAL INC
- Максимальное напряжение включения:1.25 V
- Количество элементов:6
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния:0.2 W
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.70
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка:IEC-61000-4-2
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:BRIDGE, 6 ELEMENTS
- Тип диода:BRIDGE RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс:0.16 A
- Количество фаз:3
- Максимальное обратное напряжение:85 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете:0.5 A
- Максимальный обратный ток:0.005 µA
- Минимальная напряжение разрушения:85 V
- Обратная тестовая напряжение:75 V
Со склада 0
Итого $0.00000