(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISA18DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISA18DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8
- MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4
Date Sheet
Lagernummer 41
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：38.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.2W Ta 19.8W Tc
- Время отключения：30 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Digi-Reel®
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：7.5mOhm
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：22 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1000pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21.5nC @ 10V
- Время подъема：20ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：38.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：2.4V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：1nF
- Сопротивление стока к истоку：7.5mOhm
- Rds на макс.：7.5 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 41
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
