PTFB182503ELV1

Name: Infineon Technologies AG PTFB182503ELV1
Brand: Infineon Technologies AG
Rating: 4.9 (20 reviews)

Infineon Technologies AG
Транзисторы - Специального назначения
-
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-33288-6, 6 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CQFM-X6
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：GOLD
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Положение терминала：QUAD
Форма вывода：UNSPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：6
Код JESD-30：R-CQFM-X6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Минимальная напряжённость разрушения：65 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND

Со склада 0

Итого $0.00000