Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HCD65R1K0
Изображение служит лишь для справки
HCD65R1K0
-
HUAKE
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 4A 820mΩ@10V,2A 61W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：820mΩ@10V,2A
- Power Dissipation (Pd)：61W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：9.2pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：330pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：10.2nC@10V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Type：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты