Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SVD640T
Изображение служит лишь для справки
SVD640T
-
Hangzhou Silan Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 200V 18A 150mΩ@10V,9A 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：200V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：150mΩ@10V,9A
- Power Dissipation (Pd)：150W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Пакет：Tube-packed
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты