Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CS55N06A4
Изображение служит лишь для справки
CS55N06A4
-
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 55A 69.5W 13mΩ@10V,20A 1.9V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Power Dissipation (Pd)：69.5W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,20A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты