Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MDD12N65F
Изображение служит лишь для справки
MDD12N65F
-
MDD(Microdiode Semiconductor)
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 12A 42W 640mΩ@10V,6A 2V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Power Dissipation (Pd)：42W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：7.4pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：2nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：41.9nC@10V
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты