(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BL9N50-A
Изображение служит лишь для справки
BL9N50-A
-
BL(Shanghai Belling)
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 500V 9A 600mΩ@10V,4.5A 48W 3.8V@250uA 1 N-Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：500V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ@10V,4.5A
- Power Dissipation (Pd)：48W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：3.5pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.33nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：25nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 9
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
