Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUMN10S5N016GAUMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUMN10S5N016GAUMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-HSOG-4-1
- MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Date Sheet
Lagernummer 2180
- 1+： $3.17983
- 10+： $2.99984
- 100+： $2.83003
- 500+： $2.66984
- 1000+： $2.51872
Zwischensummenbetrag $3.17983
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-HSOG-4-1
- РХОС：RoHS Compliant
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Id - Непрерывный ток разряда：310 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.6 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.8 V
- Зарядная характеристика ворот：142 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：325 W
- Режим канала：Enhancement
- Производственный партионный объем：2000
- Время задержки отключения типичного：55 ns
- Время типичного задержки включения：25 ns
- Партийные обозначения：IAUMN10S5N016G SP006044713
- Пакетирование：Reel
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：13 ns
Со склада 2180
- 1+： $3.17983
- 10+： $2.99984
- 100+： $2.83003
- 500+： $2.66984
- 1000+： $2.51872
Итого $3.17983
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты