Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI5902BDC-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI5902BDC-T1-GE3
- VISHAY
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 10A
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET x2
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:30V
- Drain current:4A
- Pulsed drain current:10A
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 0
Итого $0.00000