PUMD12,115

Name: Nexperia USA Inc. PUMD12,115
Brand: Nexperia USA Inc.
Price: 0.0390784 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (15 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NEXPERIA - PUMD12,115 - Transistor num./pré-polarisé bipolaire, BRT, Complément NPN et PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
Date Sheet

Lagernummer 2711

1+： $0.03908
10+： $0.03687
100+： $0.03478
500+： $0.03281
1000+： $0.03095

Zwischensummenbetrag $0.03908

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
Количество элементов：2
Рабочая температура (макс.)：150°C
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MD12
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
Частота - Переход：230MHz 180MHz
База (R1)：47k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2711

1+： $0.03908
10+： $0.03687
100+： $0.03478
500+： $0.03281
1000+： $0.03095

Итого $0.03908