Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMD9,115
Изображение служит лишь для справки
PUMD9,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 51094
- 1+： $0.16589
- 10+： $0.15650
- 100+： $0.14764
- 500+： $0.13929
- 1000+： $0.13140
Zwischensummenbetrag $0.16589
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- hFEMin：100
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：P*MD9
- Pin Count：6
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN, PNP
- Power Dissipation：300mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Resistor - Base (R1)：10k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- Ambient Temperature Range High：150°C
- Height：1.1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 51094
- 1+： $0.16589
- 10+： $0.15650
- 100+： $0.14764
- 500+： $0.13929
- 1000+： $0.13140
Итого $0.16589
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты