PUMH4,115

Name: Nexperia USA Inc. PUMH4,115
Brand: Nexperia USA Inc.
Rating: 5 (19 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Date Sheet

Lagernummer 62895

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：4.535924g
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：P*MH4
Число контактов：6
Максимальный выходной ток：100A
Входной напряжение питания：50V
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Dual
Применение транзистора：SWITCHING
Напряжение Зенера：12V
Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
База (R1)：10k Ω
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：3.5pF
Высота：6.35mm
Длина：6.35mm
Ширина：6.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 62895

Итого $0.00000