BCR35PNH6327XTSA1

Name: Infineon Technologies BCR35PNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (11 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet

Lagernummer 1609

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：70
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Максимальная потеря мощности：250mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BCR35PN
Число контактов：6
Нормативная Марка：AEC-Q101
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：150MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：150MHz
База (R1)：10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Высота：800μm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1609

Итого $0.00000