Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные MUN5316DW1T1G
Изображение служит лишь для справки
MUN5316DW1T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Date Sheet
Lagernummer 10784
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Surface Mount：YES
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- hFEMin：160
- Number of Elements：2
- Published：2006
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：250mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：100mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MUN53**DW1
- Pin Count：6
- Max Output Current：100mA
- Operating Supply Voltage：50V
- Polarity：NPN, PNP
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：187mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：160 @ 5mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 1mA, 10mA
- Max Breakdown Voltage：50V
- Resistor - Base (R1)：4.7k Ω
- Continuous Collector Current：100mA
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
Со склада 10784
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты