Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN4989(T5L,F,T)
Изображение служит лишь для справки
RN4989(T5L,F,T)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 47K x 22Kohms
- Date Sheet
Lagernummer 2218
- 1+: $0.18032
- 10+: $0.17011
- 100+: $0.16048
- 500+: $0.15140
- 1000+: $0.14283
Zwischensummenbetrag $0.18032
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time:18 Weeks
- Mount:Surface Mount
- Mounting Type:Surface Mount
- Package / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Number of Pins:6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Packaging:Cut Tape (CT)
- Published:2014
- Part Status:Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature:150°C
- Max Power Dissipation:200mW
- Polarity:NPN, PNP
- Element Configuration:Dual
- Power Dissipation:200mW
- Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO):300mV
- Max Collector Current:100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max):100μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Max Breakdown Voltage:50V
- Frequency - Transition:250MHz 200MHz
- Resistor - Base (R1):47k Ω
- Continuous Collector Current:-100mA
- Resistor - Emitter Base (R2):22k Ω
- RoHS Status:RoHS Compliant
Со склада 2218
- 1+: $0.18032
- 10+: $0.17011
- 100+: $0.16048
- 500+: $0.15140
- 1000+: $0.14283
Итого $0.18032