(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN2911FE(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN2911FE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Date Sheet
Lagernummer 4392
- 1+： $0.25116
- 10+： $0.23695
- 100+： $0.22353
- 500+： $0.21088
- 1000+： $0.19894
Zwischensummenbetrag $0.25116
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Мощность - Макс：100mW
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：200MHz
- База (R1)：10k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 4392
- 1+： $0.25116
- 10+： $0.23695
- 100+： $0.22353
- 500+： $0.21088
- 1000+： $0.19894
Итого $0.25116
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
