Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMD29T2R
Изображение служит лишь для справки
EMD29T2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Number of Pins：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA 500mA
- Number of Elements：2
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e2
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN COPPER
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Max Power Dissipation：120mW
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Base Part Number：*MD29
- Pin Count：6
- Polarity：NPN, PNP
- Element Configuration：Dual
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 5mA 5V / 140 @ 100mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V 12V
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：12V
- Frequency - Transition：250MHz 260MHz
- Resistor - Base (R1)：1k Ω, 10k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：10k Ω
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты