Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные NSVBC143ZPDXV6T1G

Изображение служит лишь для справки






NSVBC143ZPDXV6T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Date Sheet
Lagernummer 24000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2013
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:500mW
- Тип транзистора:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- База (R1):4.7k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 24000
Итого $0.00000