PBLS1502V,115

Name: NXP USA Inc. PBLS1502V,115
Brand: NXP USA Inc.
Rating: 5 (6 reviews)

NXP USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
SOT-563, SOT-666
BISS LOADSWITCH, PNP BISS & NPN RET, -15V, -500MA, 4.7KOHM, 6-SOT-666 - More Details
Date Sheet

Lagernummer 3273

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA 500mA
Количество элементов：2
Рабочая температура (макс.)：150°C
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：PBLS1502
Число контактов：6
Код JESD-30：R-PDSO-F6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
Тип транзистора：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V / 150 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA 100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V 15V
Частота перехода：280MHz
Частота - Переход：280MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3W
База (R1)：4.7k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7k Ω
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 3273

Итого $0.00000