Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные BCR08PNH6327XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BCR08PNH6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet
Lagernummer 48
- 1+： $0.09224
- 10+： $0.08702
- 100+： $0.08209
- 500+： $0.07744
- 1000+： $0.07306
Zwischensummenbetrag $0.09224
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Number of Pins：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：70
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Max Power Dissipation：250mW
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：BCR08PN
- Polarity：NPN, PNP
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：250mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Halogen Free
- Transistor Type：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：100MHz
- Frequency - Transition：170MHz
- Resistor - Base (R1)：2.2k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- Height：800μm
- Length：2mm
- Width：1.25mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 48
- 1+： $0.09224
- 10+： $0.08702
- 100+： $0.08209
- 500+： $0.07744
- 1000+： $0.07306
Итого $0.09224
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты