Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные NSBA114EDP6T5G
Изображение служит лишь для справки
NSBA114EDP6T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-963
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-963
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：35
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Max Power Dissipation：338mW
- Terminal Form：FLAT
- Base Part Number：NSBA1*
- Pin Count：6
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Dual
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：35 @ 5mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Resistor - Base (R1)：10k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：10k Ω
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты