(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1973(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1973(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Date Sheet
Lagernummer 2736
- 1+： $0.14584
- 10+： $0.13758
- 100+： $0.12979
- 500+： $0.12245
- 1000+： $0.11552
Zwischensummenbetrag $0.14584
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Мощность - Макс：200mW
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- База (R1)：47k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 2736
- 1+： $0.14584
- 10+： $0.13758
- 100+： $0.12979
- 500+： $0.12245
- 1000+： $0.11552
Итого $0.14584
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
