Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC124ET,235
Изображение служит лишь для справки
PDTC124ET,235
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R
Date Sheet
Lagernummer 8905
- 1+： $0.10819
- 10+： $0.10207
- 100+： $0.09629
- 500+： $0.09084
- 1000+： $0.08570
Zwischensummenbetrag $0.10819
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- HTS Code：8541.21.00.95
- Max Power Dissipation：250mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：PDTC124
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：230MHz
- Resistor - Base (R1)：22 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：22 k Ω
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 8905
- 1+： $0.10819
- 10+： $0.10207
- 100+： $0.09629
- 500+： $0.09084
- 1000+： $0.08570
Итого $0.10819
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты