DTA114EKAT146

Name: ROHM Semiconductor DTA114EKAT146
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.6 (20 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Date Sheet

Lagernummer 90000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2000
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTA114
Число контактов：3
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：PNP
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：-50mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
Высота：1.1mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 90000

Итого $0.00000