BCR116E6327HTSA1

Name: Infineon Technologies BCR116E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 64566

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：70
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：100mA
Основной номер части：BCR116
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Not Halogen Free
Продуктивность полосы частот：150MHz
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：160MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
База (R1)：4.7 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
Высота：1.1mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 64566

Итого $0.00000