Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1415,LF
![](https://static.whisyee.com/dimg/toshibasemiconductorandstorage-1ss226lf-0179.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
RN1415,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Date Sheet
Lagernummer 6675
- 1+: $0.11447
- 10+: $0.10799
- 100+: $0.10187
- 500+: $0.09611
- 1000+: $0.09067
Zwischensummenbetrag $0.11447
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 k Ω
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 6675
- 1+: $0.11447
- 10+: $0.10799
- 100+: $0.10187
- 500+: $0.09611
- 1000+: $0.09067
Итого $0.11447