MUN5230T1G

Name: ON Semiconductor MUN5230T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-70, SOT-323
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Date Sheet

Lagernummer 12422

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：202mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MUN52**T
Число контактов：3
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：202mW
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：3 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
База (R1)：1 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：1 k Ω
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 12422

Итого $0.00000