Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные TDTC114E,LM
Изображение служит лишь для справки
TDTC114E,LM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SOT23
- Date Sheet
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:320mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 k Ω
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 32
Итого $0.00000