(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1101MFV,L3F(CT
Изображение служит лишь для справки
RN1101MFV,L3F(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Date Sheet
Lagernummer 12257
- 1+： $0.10884
- 10+： $0.10268
- 100+： $0.09687
- 500+： $0.09138
- 1000+： $0.08621
Zwischensummenbetrag $0.10884
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：150mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：4.7 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7 k Ω
Со склада 12257
- 1+： $0.10884
- 10+： $0.10268
- 100+： $0.09687
- 500+： $0.09138
- 1000+： $0.08621
Итого $0.10884
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
