(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA123EU3T106
Изображение служит лишь для справки
DTA123EU3T106
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 2288
- 1+： $0.04742
- 10+： $0.04474
- 100+： $0.04220
- 500+： $0.03982
- 1000+： $0.03756
Zwischensummenbetrag $0.04742
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 20mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2 k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2288
- 1+： $0.04742
- 10+： $0.04474
- 100+： $0.04220
- 500+： $0.03982
- 1000+： $0.03756
Итого $0.04742
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
