(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2110,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN2110,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Date Sheet
Lagernummer 4002
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Минимальная частота работы в герцах：120
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Направленность：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-50V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：200MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
- База (R1)：4.7 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：-100mA
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 4002
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
