DTA114TUAT106

Name: ROHM Semiconductor DTA114TUAT106
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 5 (13 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-70, SOT-323
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Date Sheet

Lagernummer 1415

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTA114
Число контактов：3
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：10 k Ω
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1415

Итого $0.00000