(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2106ACT(TPL3)
Изображение служит лишь для справки
RN2106ACT(TPL3)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-101, SOT-883
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Date Sheet
Lagernummer 10038
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Мощность - Макс：100mW
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150mV
- Максимальный ток сбора：80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- База (R1)：4.7 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 10038
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
