Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные BCR183WH6327XTSA1
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-nup2125wtt1g-9487.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BCR183WH6327XTSA1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поставщик упаковки устройства:PG-SOT323-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:250mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:200MHz
- База (R1):10 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 kOhms
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000