Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MUN2236T1
![](https://static.whisyee.com/dimg/rochesterelectronicsllc-hzm33wajtre-1765.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MUN2236T1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства:SC-59
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:338mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- База (R1):100 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2):100 kOhms
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000