(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC143TT,235
Изображение служит лишь для справки
PDTC143TT,235
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Date Sheet
Lagernummer 11004
- 1+： $0.10892
- 10+： $0.10276
- 100+： $0.09694
- 500+： $0.09145
- 1000+： $0.08628
Zwischensummenbetrag $0.10892
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-65°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：DTC143
- Число контактов：3
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- База (R1)：4.7 k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11004
- 1+： $0.10892
- 10+： $0.10276
- 100+： $0.09694
- 500+： $0.09145
- 1000+： $0.08628
Итого $0.10892
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
