DTDG23YPT100

Name: ROHM Semiconductor DTDG23YPT100
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 5 (6 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-243AA
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
Date Sheet

Lagernummer 1541

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-243AA
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：300
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура：150°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTDG23
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-F3
Максимальный выходной ток：1A
Входной напряжение питания：60V
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400mV
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：300 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 500mA
Частота перехода：80MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Частота - Переход：80MHz
База (R1)：2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：1A
Резистор - Эмиттер-База (R2)：22 k Ω
Высота：1.5mm
Длина：4.5mm
Ширина：2.5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1541

Итого $0.00000