Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC144EM3T5G
Изображение служит лишь для справки
DTC144EM3T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Date Sheet
Lagernummer 50
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-723
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：80
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：260mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：100mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DTC144
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：260mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Halogen Free
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Max Breakdown Voltage：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Resistor - Base (R1)：47 k Ω
- Continuous Collector Current：100mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：47 k Ω
- Height：550μm
- Length：1.25mm
- Width：850μm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 50
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты