(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2103(T5L,F,T)
Изображение служит лишь для справки
RN2103(T5L,F,T)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Date Sheet
Lagernummer 1734
- 1+： $0.18800
- 10+： $0.17736
- 100+： $0.16732
- 500+： $0.15785
- 1000+： $0.14891
Zwischensummenbetrag $0.18800
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Мощность - Макс：100mW
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：200MHz
- База (R1)：22 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：22 k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 1734
- 1+： $0.18800
- 10+： $0.17736
- 100+： $0.16732
- 500+： $0.15785
- 1000+： $0.14891
Итого $0.18800
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
