(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTD123TCT116
Изображение служит лишь для справки
DTD123TCT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 1099
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：40V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 50mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Частота перехода：200MHz
- Максимальное напряжение разрушения：40V
- Частота - Переход：200MHz
- База (R1)：2.2 k Ω
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1099
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
